1、压接：采用压条, 一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮。
2、钎焊：一般使用软钎料的情况下，钎料常用In、Sn、In-Sn，要求溅射功率小于20W/cm2。
3、导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0 05微米。
二、靶材绑定的作用
1、防止靶材受热不匀碎裂。例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及烧结靶材受热容易碎裂；
2、节省成本，防止变形。如靶材太贵，可将靶材做薄些，绑定背靶以防止变形。
三、靶材绑定的流程
1、绑定前将靶材和背靶表面预处理；
2、将背靶固定放置在加热台上，将靶材放于背板上，升温到绑定温度；
3、将靶材和背靶金属化，通过钎焊将靶材贴合在铜背板上；
4、粘接靶材和背靶，靶材的远离铜背板的表面上放置配重块，待靶材冷却后取下配重块步骤；
5、降温和后处理。
四、靶材绑定的范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用钎焊绑定技术绑定铜背靶，来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。建议绑定的靶材： ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材； 锡、铟等软金属靶；靶材太薄、靶材太贵的情况等。但下列情况绑定有弊端：
1、熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；
2、贵金属靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。
五、绑定靶材的使用注意事项
1、溅射温度不宜太高；
2、电流要缓慢加大；
3、循环冷却水应低于35摄氏度；
4、适宜的靶材致密度。
六、背靶的选择
1、对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶。
2、导电性好，常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；
3、厚度适中，般建议背靶厚度3mm左右。太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。
4、结构要求空心或者实心结构。
5、强度足够，太薄，易变形，不易真空密封。
七、背靶脱落的原因
1、溅射温度高，背靶易被氧化和发生翘曲，靶材在高温溅射时会开裂，造成背靶脱落；
2、电流太大，导热太快造成温度过高，焊料熔化，造成焊料不均匀，造成背靶脱落；
3、循环冷却水出水口的温度应低于35摄氏度，循环水温度高，造成散热不好而脱落；
4、靶材本身的致密度，靶材的致密度很高时，不易吸附，无空隙，背靶易脱落。
广州ito废靶回收之镀膜材料之钛硅合金靶材
钛硅合金是氮化物硬质涂层的镀膜材料，硅保证了优异的抗氧化性，钛能确保涂层具有极高的硬度。两者组合起来，即使在极高温下也具有耐磨性。钛硅氮涂层耐磨性极强，在高速加工中不使用冷却剂也没有问题。
常用钛硅靶材比例如下：
钛硅 85/15%;
钛硅 80/20%;
钛硅 75/25%
钛硅靶材绑定过程中要注意表面金属化问题，钛硅材料表面较致密，需做喷砂等表面处理。绑定时应采用分段加温与随炉冷却等方式，防止开裂。
广州ito废靶回收之溅射靶材料的有效性取决于几个因素
包括它们的成分和用来分解它们的离子类型。如果靶材尽可能纯净，需要纯金属作为靶材的薄膜通常具有更高的结构完整性。用来轰击溅射靶的离子对于制备高质量的薄膜也很重要。
一般来说，氩是用来电离和启动溅射过程的主要气体，但是对于有较轻或较重分子的靶，使用不同的惰性气体（例如用于轻分子的氖或用于重分子的氪气）更有效。气体离子的原子量要与溅射靶分子的原子量相近，才能优化能量和动量的传递，从而优化薄膜的均匀性。
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广州ito废靶回收之钽靶材在热喷墨打印头及镀铜中的应用
钽薄膜在集成电路制造工艺中优势明显，钽溅射靶材使用的一大进步是镀铜的应用. 光刻胶掩模和等离子蚀刻技术不能用于形成铜，因为铜在低温等离子蚀刻条件下不会形成所需的挥发性成分。由于铜具有高导电性，阻挡膜必须能够完全隔离铜。但是，如果阻挡膜太厚，就会失去铜互连的高导电优势。
因此，重要的是镀铜方案中阻挡膜的沉积具有良好的阶梯覆盖，并且在通道/沟槽空隙处要减少突起。在替代0.10um铜集成电路中，钽和一氧化氮PVD阻隔膜显示出一些独特的优势，如良好的铜扩散性以及对电解液和铜的良好附着力。
广州ito废靶回收之采购靶材的注意事项
许多用户在购买时没有从专业角度考虑靶材。以下是采购靶材时应注意的事项。
对于所有金属，纯度是靶材的主要性能指标之一，这对后续产品薄膜的性能有很大影响。然而，靶材的纯度要求对于每种产品都是不同的。
第二个是靶材的杂质含量。经过一系列靶材过程后，固体中的靶材杂质以及孔隙中的氧气和水蒸气是沉积薄膜的主要污染源。由于用途不同，不同用途对靶材杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业中使用的纯铝和铝合金靶材对碱金属含量和放射性元素含量有特殊要求。
密度也是靶材的关键性能指标之一。在靶材的工艺过程中，为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射膜的性能，一般要求靶材必须具有高密度。因为靶材的主要特征密度对溅射速率有很大的影响，并且影响薄膜的电学和光学性质。靶材密度越高，薄膜的性能越好。
最后，分析了晶粒度和晶粒度分布。通常靶材是多晶结构，并且晶粒尺寸可以从微米到毫米。对于相同的靶材，细晶粒靶材的溅射速率比粗晶粒靶材快；晶粒度差异小（均匀分布）的靶溅射沉积薄膜的厚度分布更均匀。
广州ito废靶回收之溅射靶材在电子行业的种类及应用
溅射靶材在建筑、光学、电子等诸多领域有着重要的应用。电子工业中使用的溅射靶材可细分为半导体靶材（也称为 anelva靶材）、平面靶材、镀膜玻璃靶材、太阳能光伏靶材等。
不同应用领域对溅射材料的选择和性能要求存在一定差异 。其中，用于半导体集成电路的溅射靶材——anelva靶材的要求最为严苛。
工业用 溅射靶材 XK 半导体 - 用于制备集成电路芯材。常用的溅射靶材有钨（W）、钨钛（WTi）、钛（Ti）、钽（Ta）、铝（Al） 合金，纯度为 4N 或 5N。 其对靶材也有很高要求，高技术要求、超高纯度金属、尺寸精度高。 平面显示器 - 溅射技术保证所生产薄膜的均匀性，提高生产率并降低成本。
常用的溅射靶材有Nb、Si、Cr、Mo、MoNb、Al 合金、Cu 和 Cu 合金靶材， 技术要求高、高纯度材料、材料面积大、高均匀度。 装饰 - 用于产品表面的镀膜，以美化，耐磨和耐腐蚀。常用的溅射靶材有Cr、Ti、Zr、Ni、W、TiAl、CrSi、CrTi、CrAlZr 靶材， 一般技术要求、主要用于装饰、节能等。
工具 - 提高工模具的表面，提高制造零件的寿命和质量。常用的溅射靶材有TiAl、CrAl、Cr、Ti、TiC、Al2O3靶材，高性能要求、延长使用寿命。
太阳能 - 用于生产第四代薄膜太阳能电池的溅射镀膜技术 。常用的溅射靶材有ZnOAl、ZnO、ZnAl、Mo、CdS、CIGS合金靶材，技术要求高、应用范围大。
电子器件 - 薄膜电阻器，薄膜电容器。常用的溅射靶材有NiCr，NiCrSi，CrSi，Ta，NiCrAl合金靶才；要求体积小、稳定性好、电阻温度系数低。
存储 - 用来做储物。常用的溅射靶材有铬合金、钴合金、钴铁合金、镍合金靶材， 存储密度高、高传输速度 。
广州ito废靶回收之靶材形状的影响
大面积的涂层经常使用靶材根据形状，包含平面目标和旋转目标。一般平面靶包括铜靶、银靶、镍铬靶和石墨靶。一般的旋转靶有锌铝靶、锌锡靶、硅铝靶、锡靶、氧化钛靶、氧化锌铝靶等。
靶材形状会影响磁控溅射镀膜的稳定性和膜层特性，靶材的利用率很高，通过改变靶材的形状设计，可以提高涂层的品质和生产效率，节约成本。
